Pagtigil at Pag-iwas sa Peke at Sira
Pag-iinspeksyon sa Biswal at Packaging
Pagsusuri ng Pagganap ng Elektrikal
Serbisyo ng Email
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Humiling ng Presyo
(Lilipad bukas)
*Dami
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (94 Mga Pagraranggo)
IPP041N12N3GXKSA1
Pangkalahatang-ideya ng Produktong
12803539
DiGi Electronics Bahagi ng Numero
IPP041N12N3GXKSA1-DGTagagawa
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Paglalarawan
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Imbentaryo
200457 Mga Piraso Bago Orihinal na Naka-stock
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Dami
Minimum 1
Minimum 1
Bumili at magtanong
Garantiyang at Mga Pagbawi
Paano Mag-order
Padala at Paghahatid
Tiyakin ang Kalidad
365 - Garantiyang Kalidad sa Bawat Araw - Ang bawat piyesa ay ganap na sinusuportahan.
90-araw na Refund o Palitan - Sira o Defektibong Bahagi? Walang Abala.
Limitadong Stock, Mag-order Ngayon - Kumuha ng maaasahang bahagi nang walang alalahanin.
Pandaigdigang Pagpapadala at Ligtas na Pakete
Pandaigdigang Paghahatid sa loob ng 3-5 Araw ng Paggawa
100% ESD Anti-Static Packaging
Real-Time Tracking para sa Bawat Order
Segurado at Flexible na Pagbabayad
Kredit Card, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Telegraphic Transfer (T/T) at marami pang iba
Lahat ng bayad ay naka-encrypt para sa kaligtasan
IPP041N12N3GXKSA1 Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
Transistores, FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Pagbabalot
Tube
Serye
OptiMOS™
Katayuan ng Produkto
Active
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
120 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
300W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 175°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
PG-TO220-3
Package / Kaso
TO-220-3
Base Numero ng Produkto
IPP041
Datasheet at Dokumento
Mga Datasheet
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML Datasheet
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Standard na Pakete
50
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Disyembre 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Disyembre 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Disyembre 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Disyembre 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Disyembre 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Disyembre 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Disyembre 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Disyembre 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Mga Madalas na Itanong (FAQ)
Ano ang mga pangunahing katangian ng Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET (IPP041N12N3GXKSA1)?
Sinusuportahan ng MOSFET na ito ang drain-to-source voltage na 120V at tuloy-tuloy na drain current na 120A sa 25°C, na may mababang Rds On na 4.1mΩ. Angkop ito para sa mga high-power switching na aplikasyon. Dinisenyo ito gamit ang TO-220-3 na pakete para sa madaling pag-mount at maasahang pagganap.
Anong mga aplikasyon ang angkop para sa 120V 120A MOSFET na ito?
Ang MOSFET na ito ay perpekto para sa mga power converter, motor drives, at mga high-current switching circuit kung saan kritikal ang epektibong pamamahala ng kuryente at thermal na pagganap. Tiwala ang malakas nitong disenyo sa pagiging matibay sa mahihirap na elektronikong sistema.
Compatible ba ang N-Channel MOSFET na ito sa mga kasalukuyang disenyo ng elektronikong kagamitan?
Oo, ang IPP041N12N3GXKSA1 ay compatible sa mga karaniwang gate drive voltages at may gate threshold na 4V, kaya angkop ito para sa iba't ibang disenyo ng switching power supply at embedded systems.
Ano ang mga benepisyo sa pagpili ng Infineon’s OptiMOS™ series na MOSFETs?
Kilala ang OptiMOS™ MOSFETs sa kanilang mababang Rds On, mataas na kahusayan, at mahusay na thermal na pagganap, na nakakatulong upang mabawasan ang dissipation ng enerhiya at mapabuti ang overall na katatagan ng sistema.
Anong klaseng warranty at suporta ang available para sa produktong ito?
Bilang isang aktibo at RoHS3-compliant na produkto, sinusuportahan ito ng manufacturer support at quality assurance. Direktang nanggagaling ito sa stock, kaya mabilis ang availability para sa iyong mga proyekto.
Tiyakin ang Kalidad (QC)
Tinitiyak ng DiGi ang kalidad at katotohanan ng bawat elektronikong bahagi sa pamamagitan ng propesyonal na inspeksyon at batch sampling, na naggarantiya ng maaasahang pinagkukunan, matatag na pagganap, at pagsunod sa mga teknikal na espesipikasyon, na tumutulong sa mga customer na mabawasan ang mga panganib sa supply chain at gamitin nang may kumpiyansa ang mga bahagi sa produksyon.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
